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SiC功率器件

與Si半導體相比,SiC功率元件可進一步實現小型化、低功耗及高效化。它在高溫環境下具備優良的工作特性,且開關損耗更低,作爲新一代低損耗元件,備受期待。
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SiC肖特基二極管

SiC肖特基二極管 (69)

因爲Total Capacitive Charge(Qc)小、可以降低開關損失,實現高速開關。而且,Si快速恢複二極管的trr會隨著溫度上升而增大,而SiC則可以維持大體一定的特性。

SiCMOSFET

SiCMOSFET (39)

開關時的差動放大電流原則上是沒有的,所以可以高速運作,開關損失降低。 小尺寸芯片的導通電阻低,所以實現低容量・低門極消耗。 Si産品隨溫度的上升導通電阻上升2倍以上,SiC的導通電阻上升小,可以實現整機的小型化和節能化。

SiC功率模塊

SiC功率模塊 (18)

內置的功率半導體元件全部由SiC構成,與Si(硅)材質的IGBT模塊相比,可大幅降低開關損耗。 內置SiC-SBD、SiC-MOSFET,與傳統的Si-IGBT相比,在100KHz以上的高頻環境下工作成爲可能。

SiC肖特基勢壘二極管Bare Die (15)

SBD可降低開關損耗,可高速開關。主要用于高速開關電源的PFC電路。
關于Bare Die的銷售請向本公司銷售部門咨詢規格。現在尚未進行網絡銷售及經由網絡公司進行銷售。

SiC MOSFET Bare Die (19)

從原理上而言,不存在開關工作時的拖尾電流,因此,可高速工作,降低開關損耗。芯片尺寸小,導通電阻低,因此實現了低容量、低柵極電壓。
關于Bare Die的銷售請向本公司銷售部門咨詢規格。現在尚未進行網絡銷售及經由網絡公司進行銷售。